国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN121040240A，申请日期为2024年5月半导体 。
专利摘要显示，本发明提高了半导体装置的光检测特性半导体 。该半导体装置包括电荷传输部。所述电荷传输部由MOS晶体管构成，所述MOS晶体管包括布置在半导体基板中的第一半导体区域、布置在所述半导体基板的表面附近的第二半导体区域以及多个垂直栅极，每个垂直栅极是布置为嵌入在所述半导体基板的表面附近并且底部形成在所述第一半导体区域附近的栅电极。所述电荷传输部将电荷从所述第一半导体区域和所述第二半导体区域中的一个传输到另一个。所述多个垂直栅极平行布置。
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来源：市场资讯