博世申请电路单元、布置及减少半导体开关损耗方法专利,减少半导体开关的开关损耗:半导体

国家知识产权局信息显示,罗伯特·博世有限公司申请一项名为“电路单元、电路布置和用于减少半导体开关的开关损耗的方法”的专利,公开号CN121036751A,申请日期为2025年5月半导体

专利摘要显示,本发明涉及一种电路单元、电路布置和用于减少半导体开关(T1)的开关损耗的方法,电路单元包括:半导体开关(T1)、辅助开关(S1)、电容器(C1)和逻辑单元(10),其中由辅助开关(S1)和电容器(C1)组成的串联电路与半导体开关(T1)的负载路径并联,其中,逻辑单元(10)设置为:在半导体开关(T1)的接通状态下求取通过半导体开关(T1)待切换的、沿负载路径流动的电流(IL)的电流强度,如果求取的电流强度高于预定义的电流阈值,则在半导体开关(T1)的关断过程之前闭合辅助开关(S1)或将其保持在闭合状态,且如果求取的电流强度不高于预定义的电流阈值,则在半导体开关(T1)的关断过程之前断开辅助开关(S1)或将其保持在断开状态半导体

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