国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“具有高续流能力的SIC MOSFET器件”的专利，授权公告号CN 223584622 U，申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要显示，具有高续流能力的SIC MOSFET器件，涉及半导体技术领域。在SiC MOSFET芯片内部设置了SBD结构与自带的体二极管并联，内嵌的SBD二极管利用沟槽形成U型N+区增加了垂直方向上N+区与肖特基金属接触的面积，降低了内嵌的SBD二极管导通压降，大大提升了SiC MOSFET器件的续流能力，减小了功率损耗。在阻断状态下，深注入的PP区有利于屏蔽内嵌的SBD区域和栅沟槽底部的高电场，可提高器件的可靠性。
天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业电子器件。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目189次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息766条，此外企业还拥有行政许可234个。
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来源：市场资讯