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  • 智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利,简化制造工艺步骤:电子器件

    智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利,简化制造工艺步骤:电子器件

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    2025-12-02
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    海德门电子申请RFID/NFC器件及其制备方法专利,降低制备RFID/NFC器件的工艺复杂度:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,深圳市海德门电子有限公司申请一项名为“RFID/NFC器件及其制备方法”的专利,公开号CN121034965A,申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示,本申请公开了

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    2025-12-02
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    2025-11-17
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